НаноФаб 100      Модуль МЛЭ

   Платформа НаноФаб 100 включает сверхвысоковакуумные модули МЛЭ двух типов, которые предназначены для получения полупроводниковых гетероструктур на основе арсенидов и нитридов металлов III группы и могут быть использованы, в частности, для создания СВЧ приборов и монолитных интегральных микросхем:
  •  MESFET GaAs
  •  pHEMT AlGaAs
  •  Ga(Al)N для мощных СВЧ транзисторов

   Сверхвысоковакуумные модули МЛЭ в базовой комплектации включают три камеры: ростовую, шлюзования и подготовки.  Цилиндрические ростовые камеры обеспечивают современную "вертикальную" ростовую геометрию с горизонтальным расположением подложки. Она содержит: 
  •  Две криопанели увеличенной площади, обеспечивающие высокую скорость откачки аммиака или летучих компонент V-й группы (в основном As)
  •  Трёхстепенной ростовой манипулятор с устройством крепления носителя подложки, обеспечивающий возможность    корректировки   геометрии   роста   за счёт    значительного    (80 мм) вертикального перемещения
  •  Встроенную   систему   дифракции   быстрых   электронов   на   отражение   в   составе электронной пушки 20 кэВ и люминесцентного экрана
  •  Фланец блока испарителей, позволяющий установить до 8 молекулярных источников различного типа на фланцы DN63CF симметрично относительно вертикальной оси камеры

   Модули МЛЭ содержат оригинальное устройство переворота образца на 180^о вокруг горизонтальной оси для совмещения вертикальной геометрии камеры роста ("лицом вниз") с требованиями методов  ФИП и СЗМ к ориентации поверхности структур "лицом вверх". К числу других особенностей относятся конструкция держателя подложки, специально разработанная для работы с сапфировыми подложками, нагрев поверхности подложки до 1100^о С при частоте вращения 1 Гц, коррозионно-стойкая безмасляная система откачки, внутренние поверхности манипулятора защищены от потока аммиака, а внешние - от воздействия высокой температуры.

Основные параметры арсенидного модуля МЛЭ:
Возможность вращения носителя подложки во время роста со скоростью	не менее 1об/сек
Количество и диаметр подложек	одна 100 мм или три 50 мм
Максимальная температура нагрева подложки,	не менее 700 °С
Контроль температуры нагревателя подложки	W/Re термопарой с точностью ±0,5°С
Встроенный анализатор остаточной атмосферы	квадрупольного типа
Порты для лазерного интерферометра (эллипсометра, 2шт.) и пирометра	с заслонками
Система маршевой откачки (ионный насос)	400-600 л/с
Предельный вакуум после прогрева (48 час, 200°С)	не хуже: 1х10-8 Па

Основные параметры нитридного модуля МЛЭ:
Возможность вращения носителя подложки во время роста со скоростью	не менее 1об/сек
Максимальная температура нагрева подложки,	не менее 1100 °С
Контроль температуры нагревателя подложки	W/Re термопарой с точностью ±0,5°С
Встроенный анализатор остаточной атмосферы	квадрупольного типа
Порты для лазерного интерферометра (эллипсометра, 2шт.) и пирометра	с заслонками
Система маршевой откачки с турбомолекулярным насосом коррозионно-стойкого исполнения производительностью	1400-2200 л/с
Предельный вакуум после прогрева (48 час, 200°С)	не хуже 1х10-8 Па