ООО "Альтаир"
г.Одесса (048)-2345133, 7601408
Модуль ФИП
Меню сайта


  Наши партнеры

PerkinElmer 

 
 
 
 


 






 

 




Приветствую Вас, Гость · ">RSS 13.07.2025, 09:52

   НаноФаб 100
 
   Модуль ФИП
 
Модули ФИП относятся к числу основных модулей платформы НаноФаб 100 и предназначены для проведения технологических операций с применением Фокусированных Ионных Пучков, в том числе операций нанолитографии, локального роста, резки и визуализации наноэлементов и наноструктур, очистки поверхности п/п пластин и пр.

   Высокая степень автоматизации и высокий уровень прецизионности используемых в модулях ФИП и СЗМ координатных столов дают возможность совмещения участков образца, обрабатываемых ионным пучком в модуле ФИП и исследуемых либо обрабатываемых методами зондовой микроскопии в модуле СЗМ. 

   В состав платформы НаноФаб 100  входят два типа модулей ФИП - сверхвысоковакуумный и снабженный системой ввода паров элементо-органических соединений, таким образом модули ФИП обеспечивают практически все значимые "top-down" и "bottom-up" ФИП технологии.


 

Основные параметры сверхвысоковакуумного модуля ФИП

Размер образца От 10 до 100 мм в диаметре, до 8 мм в высоту
Вес образца До 150 г.
ФИП система
     Размер пятна  10 нм при РО=12 мм
     Рабочее поле 300х300 мкм
     Рабочий отрезок от 12 до 27 мм
     Энергия пучка 3-30 кЭв
     Ионный ток от 1 пА до 20 нА
     Время отсечки тока  100 нсек
    Плотность тока 20 А/см2
    Время жизни галлиевого источника не менее 1500 мкАчас
Координатный стол
     XY позиционирование образца 100x100 мм
     Скорость перемещения координатного стола  250 мм/cек
     Разрешение репозиционирования менее 1 мкм (peak-to-peak)
Вакуум  1.2x10-8 Па
Возможность прогрева системы до 150оС
Виброизоляция

Активная

1-200 Гц

Пассивная

выше 200Г ц

Основные параметры модуля ФИП + CVD

Размер образца От 10 до 100 мм в диаметре, до 8 мм в высоту
Вес образца До 150 г.
ФИП система
     Размер пятна  10 нм при РО=12 мм
     Рабочее поле 300х300 мкм
     Рабочий отрезок от 12 до 27 мм
     Энергия пучка 3-30 кЭв
     Ионный ток от 1 пА до 20 нА
     Время отсечки тока  100 нсек
    Плотность тока 20 А/см2
    Время жизни галлиевого источника не менее 1000 мкАчас
Система порционного, локального ввода паров элементоорганических соедиений до 4-х соединений
Координатный стол
     XY позиционирование образца 100x100 мм
     Скорость перемещения координатного стола  250 мм/cек
     Разрешение репозиционирования менее 1 мкм (peak-to-peak)
Вакуум не хуже 7x10-3 Па
Возможность прогрева системы до 150оС
Виброизоляция

Активная

1-200 Гц

Пассивная

выше 200Г ц

Бесплатный хостинг uCoz